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Toshiba lance des MOSFET de puissance à canal N 60 V et 100 V dans trois nouveaux boîtiers pour améliorer le rendement des circuits d'alimentation des équipements industriels

20/06/2026 09h42, par electronique-mag.com

Cette nouvelle gamme utilise trois types de boîtiers : le SOT?23F polyvalent, le TSOP6F à dissipateur thermique et le compact UDFN6B afin de répondre à la demande croissante en systèmes d'alimentation 48 V et 24 V Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a élargi sa gamme de MOSFET de puissance à (...)

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