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STMicroelectronics et le CEA développent la technologie « GaN-sur silicium »

25/09/2018 14h06, par electronique-mag.com

La technologie de fabrication développée dans le cadre du programme de l'institut de recherche technologique IRT Nanoelec sera transférée de la ligne R&D 200 mm du CEA vers une ligne pilote de fabrication 200 mm exploitée par (...)

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