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En triplant ses efforts d?investissement sur le 3 nm, Samsung espère accélérer l?industrialisation de ses transistors GAAFET pour arriver à une finesse de gravure de seulement 1,4 nm en 2027. L'article Samsung promet des transistors de seulement 1,4 nm en 2027 est à retrouver sur 01net.com.