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Samsung dévoile sa techno 14 nm FinFET pour des capteurs photo plus économes

La conférence IEDM permet presque chaque années aux acteurs de l'industrie du semiconducteur et de l'électronique de dévoiler de nouvelles avancées technologiques dans leurs domaines d'expertise. En cette édition 2019 de l'événement, tenue à San Francisco du 7 au 11 décembre dernier, Samsung a présenté un nouveau capteur photo 144 Mp... Gravé grâce à un procédé 14 nm FinFET.

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