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Les MOSFET SiC ultra-compacts de Toshiba, en boîtier DFN8x8 de 650 V

10/07/2025 19h16, par electronique-mag.com

Le faible facteur de mérite (RDS(ON) x Qgd) contribue à un rendement supérieur, repoussant ainsi les limites de performance des systèmes d'alimentation à haute tension...

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