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Les MOSFET SiC 1 200 V Toshiba de 3ème génération

07/09/2022 08h00, par electronique-mag.com

Les nouveaux MOSFET discrets combinent un excellent facteur de mérite RDS(on) x QGD, à des innovations Toshiba éprouvées en matière de fiabilité et de stabilité...

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